《科创板日报》17日讯，据韩国业界人士透露，三星电子正在为苹果下一代XR设备开发LLW DRAM产品。LLW DRAM是下一代DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径），可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。 (ZDNet Korea)
《科创板日报》17日讯，据韩国业界人士透露，三星电子正在为苹果下一代XR设备开发LLW DRAM产品。LLW DRAM是下一代DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径），可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。 (ZDNet Korea)